В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Внутренняя низкоиндуктивная структура

На примере полумостового модуля, рис.1.55 показывает основные внутренние паразитные индуктивности модуля, возникающие при соединениях между кристаллами и выводами модуля (внутренние проводники).

Паразитные индуктивности сдвоенного IGBT модуля
Рис. 1.55. Паразитные индуктивности сдвоенного IGBT модуля

  • LQG: паразитные индуктивности затвора
  • LQC: паразитная индуктивность верхнего коллектора
  • LQEC: паразитная индуктивность между верхним эмиттером и нижним коллектором
  • LQE: паразитная индуктивность нижнего эмиттера
  • LCE: общая паразитная индуктивность верхний коллектор - нижний эмиттер

Минимизация этих индуктивностей, которые вызывают перенапряжения при выключении и снижают dI/dt при включении, а также индуктивную связь между силовыми и цепями управления, будет напрямую влиять на характеристики силовых модулей.

Кроме того, паразитные индуктивности модулей с параллельным расположением кристаллов внутри могут вызвать разные динамические характеристики кристаллов и генерацию между ними. В п. 3.4.1 детально рассмотрены эти корреляции.



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники