|
Поиск по сайту: |
|
По базе: |
 |
| Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов | |||||||||
|
|
||||||||||||
Напряжение изоляции / устойчивость к отдельным разрядам [275]При высоких напряжениях возрастают требования к высокому напряжению изоляции и высокой устойчивости к отдельным разрядам IGBT модулей. Напряжение изоляции и устойчивость к отдельным разрядам зависят от толщины, материала и однородности изоляции нижней части кристалла, материала корпуса и иногда от расположения кристаллов. Обыкновенные транзисторные модули подвергаются проверке изоляции напряжением от 2,5 кВэфф до 9 кВэфф, которое прикладывается к каждому модулю при изготовлении. Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d.
 Главная - Микросхемы - DOC - ЖКИ - Источники питания - Электромеханика - Интерфейсы - Программы - Применения - Статьи |
||||||||||||
