В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Напряжение изоляции / устойчивость к отдельным разрядам [275]

При высоких напряжениях возрастают требования к высокому напряжению изоляции и высокой устойчивости к отдельным разрядам IGBT модулей. Напряжение изоляции и устойчивость к отдельным разрядам зависят от толщины, материала и однородности изоляции нижней части кристалла, материала корпуса и иногда от расположения кристаллов.

Обыкновенные транзисторные модули подвергаются проверке изоляции напряжением от 2,5 кВэфф до 9 кВэфф, которое прикладывается к каждому модулю при изготовлении.

Ни рис.1.53 показано максимально допустимое напряжение изоляции для разных изоляционных подложек и сегодняшний стандарт толщины подложки d.


Рис. 1.53



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники