В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Параллельное включение

При параллельном включении не требуется дополнительные RC-цепи. При этом важно, чтобы различия в падениях напряжений были минимальными.

Решающим параметром для параллельного включения является температурная зависимость падения напряжения. Если падение напряжения уменьшается при возрастании температуры, температурная зависимость будет отрицательной, только одно преимущество которой состоит в балансе потери мощности. Если падение напряжения растет при возрастании температуры, температурная зависимость будет положительной.

Температурная зависимость падения напряжения для различных типов диодов
Рис. 1.41. Температурная зависимость падения напряжения для различных типов диодов. Слева: отрицательная температурная зависимость. Справа: положительная температурная зависимость выше номинального тока (75 А)

Преимущества положительной температурной зависимости можно реализовать в специальных параллельных системах, так как у нагретого диода носителей тока меньше и система более стабильна. Отрицательный температурный коэффициент (> 2 мВ/К) вызовет температурную нестабильность при параллельном соединении диодов, при котором всегда имеется разброс падений напряжения, возникающий в процессе изготовления. Параллельные диоды термически соединяются

  • через прокладку в корпусе модуля,
  • обычно через теплоотвод в корпусе модуля.

В принципе, при умеренно отрицательном температурном коэффициенте, эффект термической связи будет необходим для избежания температурных разбросов диода при максимальном падении напряжения. Для диодов с отрицательным температурным коэффициентом > 2 мВ/К мы рекомендуем выбрать нижнее номинальное значение тока, которое может достичь ток отдельного диода (снижение номинальных значений).



<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники