В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



Динамическая устойчивость

Во время роста зоны пространственного заряда, дырочный ток IR протекает через пустую n- зону. Следовательно, плотность р-дырок будет:

р = IR/qvdA        1.12)

В этом уравнении vd - скорость дрейфа (7,57 · 106 см/с) и А - площадь диода. Плотностью дырок (показанной на рис.1.30 и рис.1.31 от t2 до t4) более нельзя пренебрегать, учитывая основной уровень примеси [288]. Р добавляется к положительно заряженным донорам ND, эффективная примесь Neff в этот момент:

Neff = ND + р        (1.13)

Это вызовет преждевременный лавинный пробой. Электроны и дырки будут создаваться на pn- переходе динамической лавиной. Дырки будут двигаться через высокопримесную р-зону. С другой стороны, электроны будут проходить через n- зону, вызывая эффект примеси:

Neff = ND + р - nav        (1.13)

Здесь nav обозначает плотность электронов, созданных динамической лавиной, которые движутся из pn - перехода через зону пространственного заряда, частично компенсируя плотность дыр и, тем самым, противодействуя лавинному эффекту. В [289] динамическая лавина разработана для ограничения: для управления напряженностью поля, при уменьшении эффективной примеси. Соответственно, динамическая лавина не выведет диод, из строя.

Уменьшенный прямой ток вызовет уменьшение обратного тока и плотности дырок р (в соответствии с (1.12)). Но так как коммутирующие устройства имеют более высокую dV/dt при меньших токах, воздействие от динамической лавины может быть больше при малых токах. Для диодов, рассчитанных на высокие обратные напряжения, - возрастет благодаря расширенной wB. Это вызовет большие обратные токи, которые приведут к возрастанию плотности дырок и к динамической лавине (1.12). Но в этом случае динамическая устойчивость очень важна.

<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники