В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Микроконтроллеры > AVR > Архитектура

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве




Arduino Uno R3 Atmega328
готовый модуль
Лучшая Цена 335 руб




Стартовый набор с большим набором аксесуаров
Arduino Uno R3 Atmega328
Лучшая Цена 2211 руб



Конфигурация памяти

Микроконтроллеры ATmega603/103 поддерживают две конфигурации, как показано в таблице 2.

Таблица 2. Конфигурация памяти

Конфигурация Встроенная SRAM данных Внешняя SRAM данных
A 4000 байт Нет
B 4000 байт До 64Кбайт (1)

Примечание 1. Из 64 Кбайт внешней памяти будут доступны 60 Кбайт.

По первым 4096 адресам памяти данных размещаются регистровый файл, пространство памяти I/O и встроенная SRAM данных. Из них первые 96 адресов занимают регистровый файл и пространство памяти I/O, в следующих 4000 адресов размещается встроенная SRAM.

Конфигурация памяти

Рис. 7. Конфигурация памяти

Микроконтроллеры конфигурации B позволяют использовать дополнительную внешнюю память данных. Внешняя память будет адресоваться оставшимся до 64К пространством адресов, т.е. оно будет начинаться следом за пространством адресов встроенной SRAM. При использовании внешней SRAM емкостью 64К будут потеряны 4К внешней памяти, поскольку адреса этого объема будут заняты встроенной памятью.

При обращении по адресам памяти данных за пределами встроенной SRAM используются те же команды, что для обращения к встроенной SRAM. При обращении к встроенной памяти данных выводы стробов управления внешней памятью данных (RD и WR) остаются неактивными во время всего цикла обращения.

Работа внешней SRAM разрешается установкой бита SRE в регистре MCUCR. По сравнению с обращением к встроенной памяти данных, обращение к внешней памяти данных требует дополнительного цикла на каждый байт. Это означает, что для выполнения команд LD, ST, LDS, STS, PUSH и POP требуется дополнительный тактовый цикл. Если стек размещен во внешней SRAM, то прерывания, вызов подпрограмм и возвраты потребуют два дополнительных цикла, поскольку в стеке будет опускаться и подниматься содержимое двухбайтового счетчика команд. Если интерфейс с внешней SRAM используется с состоянием ожидания, то на каждый байт необходимо еще два дополнительных тактовых цикла. Это приводит к следующему эффекту. Командам пересылки данных необходимо два дополнительных тактовых цикла, тогда как при обработке прерывания, вызове подпрограммы и при возврате из подпрограмм потребуется на четыре тактовых цикла больше, чем это указано в описании системы команд.

При адресации памяти данных используются пять режимов адресации: непосредственная адресация, косвенная со смещением, косвенная, косвенная с преддекрементом и косвенная с постдекрементом. Регистры с R26 по R31 регистрового файла работают как X, Y и Z регистры указатели косвенной адресации.

Косвенной адресации со смещением доступны 63 адреса относительно базовых адресов, находящихся в регистрах Y или Z. При использовании косвенной адресации с автоматическим преддекрементом и постдекрементом автоматически декрементируются и инкрементируются адреса записанные в регистры X, Y и Z. Всеми этими режимами перекрывается все адресное пространство данных, включая 32 регистра общего назначения и 64 регистра I/O. Подробное описание всех режимов адресации приведено в следующем разделе.


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники