В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Микроконтроллеры > AVR > Архитектура

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве




Arduino Uno R3 Atmega328
готовый модуль
Лучшая Цена 335 руб




Стартовый набор с большим набором аксесуаров
Arduino Uno R3 Atmega328
Лучшая Цена 2211 руб



Обозначения сигналов

В данном разделе ряд выводов микроконтроллеров ATmega603/103 указывается обозначениями сигналов, отражающими их функциональное назначение в процессе параллельного программирования, а не по обозначениям выводов. Выводы не указанные в таблице имеют обычные обозначения.

Таблица 35. Соответствие обозначений выводов обозначениям сигналов

Обозначение сигнала в режиме программирования Обозначение вывода I/O Описание
RDY / BSY PD1 O 0: Прибор занят программированием, 1: Прибор готов к новой команде
OE PD2 I Разрешение выхода (Активен низким уровнем)
WR PD3 I Импульс записи (Активен низким уровнем)
BS1 PD4 I Выбор байта (бит 0)
XA0 PD5 I Режим XTAL (бит 0)
XA1 PD6 I Режим XTAL (бит 1)
BS2 PD7 I Выбор байта (бит 2 -всегда на низком уровне)
PAGEL PA0 I Загрузка страницы программирования памяти

Биты XA1/XA0 определяют действие, запускаемое по положительному импульсу на XTAL1. Установки битов представлены в следующей таблице:

Таблица 36. Кодирование битов XA1 и XA0

XA1 XA0 Характер действия при поступлении импульса на XTAL1
0 0 Загрузка Flash или EEPROM адреса (старший или младший байт адреса Flash памяти определяет бит BS1)
0 1 Загрузка данных (старший или младший байт адреса Flash памяти определяет бит BS1)
1 0 Загрузка команды
1 1 Нет действия, ожидание

При поступлении импульсов WR или OE загруженная команда определяет действие на входе или выходе. Команда является байтом, в котором каждый бит определяет функцию, как это отражено в таблице:

Таблица 37. Кодирование битов байта команды

N бита Выполняемая операция при установленном бите
7 Очистка кристалла
6 Запись бита-предохранителя. Размещаются в байте данных по следующим битам: D5: SPIEN бит-предохранитель, D3: EESAVE бит-предохранитель, D1: SUT1 бит-предохранитель, D0: SUT0 бит-предохранитель (Примечание: запись 0 для программирования, запись 1 для стирания)
5 Запись бита блокирования. Размещаются в байте данных по следующим битам::D2: LB2, D1: LB1 (Примечание: запись 0 для программирования)
4 Запись Flash или EEPROM памяти (определяется битом 0)
3 Чтение сигнатуры
2 Чтение битов блокирования и битов-предохранителей. Размещаются в байте данных по следующим битам:D5: SPIEN бит-предохранитель, D3: EESAVE бит-предохранитель, D2: LB2, D1: SUT1/LB1, D0: SUT0 (Примечание: состояние 0 программируется)
1 Чтение из Flash или EEPROM памяти (определяется битом 0)
0 0 : Обращение к Flash, 1 : Обращение к EEPROM


<-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники