В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, микроконтроллер, память, msp430, MSP430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, SED1335, mega128, avr, mega128  
  Главная страница > Обзоры по типам > Микроконтроллеры > ARM

реклама

 
радиационно стойкие ПЗУ Миландр

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

текст еще



37. Электрические характеристики AT91SAM7S

37.1 Предельно-допустимые характеристики

Таблица 37.1. Предельно-допустимые характеристики *

Рабочая температура (промышленный диапазон) -40°C...+85°C
Температура хранения -60°C...+150°C
Напряжение на входах по отношению к общему -0.3В...+5.5В
Максимальное рабочее напряжение (VDDCORE и VDDPLL) 1.95В
Максимальное рабочее напряжение (VDDIO, VDDIN и VDDFLASH) 3.6В
Суммарная нагрузочная способность линий ввода-вывода в 48-выводных корпусах LQFP/QFN 100 мА
Суммарная нагрузочная способность линий ввода-вывода в 64-выводных корпусах LQFP/QFN 150 мА

* ПРИМ.: выход за предельно-допустимые характеристики может вызвать перманентное повреждение микроконтроллера. Данные характеристики указывают на кратковременную перегрузочную способность микроконтроллера, не следует их использовать как рабочие характеристики. Длительная работа при условиях близким к предельно-допустимым характеристикам может повлиять на надежность работы микроконтроллера.

37.2 Статические характеристики

Если условия измерения не указаны, то полагается: Tокр.ср. = -40°C…+85°C, VCC = 2.7В…5.5В. Характеристики подтверждены для температур перехода до 100°C.

Таблица 37.2. Статические характеристики

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед. изм.
VVDDCORE Напряжение питания ядра   1.65   1.95 В
VVDDPLL Напряжение питания ФАПЧ   1.65   1.95 В
VVDDIO Напряжение питания ввода-вывода   3.0   3.6 В
1.65   1.95 В
VVDDFLASH Напряжение питания флэш-памяти   3.0   3.6 В
VIL Входное напряжение низкого уровня VVDDIO=3.0-3.6В -0.3   0.8 В
VVDDIO= 1.65-1.95В -0.3   0.45 В
VIH Входное напряжение высокого уровня VVDDIO=3.0-3.6В 2.0   5.5 B
VVDDIO= 1.65-1.95В 0.6 х VVDDIO   5.5 В
VOL Выходное напряжение низкого уровня Iвых=8 мА, VVDDIO=3.0-3.6В     0.4 В
Iвых=1.5 мА, VVDDIO=1.65-1.95В     0.2 В
VOH Выходное напряжение высокого уровня Iвых = 8 мА, VVDDIO=3.0-3.6В VDDIO - 0.4     В
Iвых = 1.5 мА, VVDDIO=1.65-1.95В VDDIO - 0.2     В
ILEAK Входной ток утечки PA0-PA3, подтягивающие резисторы отключены (тип.: Tокр. = 25°C, макс: Tокр.=85°C)   40 400 нА
Другие линии в/в, подтягив. резисторы отключены (тип.: Tокр. = 25°C, макс: Tокр.=85°C)   20 200 нА
IPULLUP Входной ток подтягивания PA17-PA20, VVDDIO=3.0-3.6В, PAx подключены к общему 10 20.6 60 мкА
PA17-PA20, VVDDIO=1.65-1.95В, PAx подключены к общему 2.46 5.15 11.5 мкА
Прочие линии в/в, VVDDIO=3.0-3.6В, PAx подключены к общему 143 321 600 мкА
Прочие линии в/в, VVDDIO=1.65-1.95В, PAx подключены к общему 25 75 100 мкА
IPULLDOWN Входной ток подтягивания к общему, (TST, ERASE, JTAGSEL) VVDDIO=3.0-3.6В, выводы подключены к VVDDIO 135 295 550 мкА
VVDDIO=1.65-1.95В, выводы подключены к VVDDIO 30 67 130 мкА
CIN Входная емкость 48 или 64-выв. корпус LQFP     13.9 пФ
ISC Статический ток (AT91SAM7S64/321/32) VVDDCORE=1.85В, MCK = 500Гц на все входы поданы лог. 1 (в т.ч. TMS, TDI, TCK, NRST). Флэш-память в дежурном режиме. Все периферийные модули отключены. Tокр.=25°C   4.0 15 мкА
Tокр.=85°C   25 100 мкА
ISC Статический ток (AT91SAM7S256/128) VVDDCORE=1.85В, MCK = 500Гц На все входы поданы лог. 1 (в т.ч. TMS, TDI, TCK, NRST). Флэш-память в дежурном режиме. Все периферийные устройства отключены. Tокр.=25°C   4.0 15 мкА
Tокр.=85°C   25 100 мкА
Iвых Выходной ток PA0-PA3, VVDDIO=3.0-3.6В     16 мА
PA0-PA3, VVDDIO=1.65-1.95В     3 мА
PA17-PA20, VVDDIO=3.0-3.6В     2 мА
PA17-PA20,VVDDIO=1.65-1.95В     0.5 мА
Другие линии в/в, VVDDIO=3.0-3.6В     8 мА
Другие линии в/в, VVDDIO=1.65-1.95В     1.5 мА
TSLOPE Скорость нарастания напряжения питания ядра   6     В/мс

Обратите внимание, что в ходе запуска VVDDFLASH должно всегда отставать или совпадать с VVDDCORE.

Таблица 37.3. Характеристики 1.8В-ого стабилизатора напряжения

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Ном. Макс. Ед.изм.
VBOT- Пороговый уровень   1.65 1.68 1.71 В
VHYST Гистерезис VHYST = VBOT+ - VBOT-   50 65 мВ
IDD Потребляемый ток Супервизор включен (бит GPNVM0 активен)   12 18 мкА
    Супервизор выключен (бит GPNVM0 неактивен)     1 мкА
TSTART Время старта     100 200 мкс
TPU Задержка при подаче питания       45 мкс
ISB Дежурный ток при температуре 25°C
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В
   
10
30
мкА
при температуре 85°C
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В
   
10
30
мкА
ICC Активный ток Произв. чтение/30 МГц
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В
   
3.0
0.4
мА
Запись
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В
   
400
2.2
мА

Таблица 37.6. Статические характеристики флэш-памяти AT91SAM7S256/128

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Ном. Макс. Ед.изм.
TPU Задержка при подаче питания       45 мкс
ISB Дежурный ток при температуре 25°C
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В
   
5
10
мкА
при температуре 85°C
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В
   
10br>120
мкА
ICC Активный ток Произв. чтение/30 МГц
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В
   
3.0
0.8
мА
Запись
через VDDCORE = 1.8В
через VDDFLASH = 3.3В
   
400
5.5
мА

37.3 Потребляемый ток

  • Типичный потребляемый ток ФАПЧ, низкочастотной синхронизации и основного генератора.
  • Потребляемый ток от источника питания в двух различных режимах: активный и сверхмаломощный.
  • Потребляемый ток периферийными устройствами: вычисляется как разность измеренного потребляемого тока до и после отключения соответствующей синхронизации.

37.3.1 Потребляемый ток в различных режимах работы

Значения в таблицах 37.7 и 37.8 определены при следующих условиях:

  • VDDI
  • = VDDIN = VDDFLASH= 3.3В
  • VDDCORE = VDDPLL = 1.85В
  • Tокр. = 25°C
  • Отсутствует потребление через линии ввода-вывода.

Схема измерения
Рисунок 37.1. Схема измерения

На рисунке 37.1 показана схема, которая используется для измерения тока, потребляемого от источников питания.

Таблица 37.7. Потребляемая мощность в различных режимах

Режим Условия Потребление Единица измерения
Активный (AT91SAM7S64/321/32) Стабилизатор напряжения включен.
Супервизор напряжения включен.
Выполняется чтение флэш-памяти.
Частота синхронизации ядро ARM равна 50 МГц.
Аналогово-цифровой преобразователь активен.
Синхронизация всех периферийных модулей активна.
USB-трансивер включен.
показания AMP1
показания AMP2







29.4
28.1
мА
Активный (AT91SAM7S256/128) Стабилизатор напряжения включен.
Супервизор напряжения включен.
Выполняется чтение флэш-памяти.
Частота синхронизации ядро ARM равна 50 МГц.
Аналогово-цифровой преобразователь активен.
Синхронизация всех периферийных модулей активна.
USB-трансивер включен.
показания AMP1
показания AMP2







31.9
30.6
мА
Сверхмаломощный Стабилизатор напряжения в маломощном режиме
Супервизор напряжения отключен.
Флэш-память в дежурном режиме.
Ядро ARM в режиме холостого хода.
MCK = 500 Гц.
Аналогово-цифровой преобразователь отключен.
Синхронизация всех периферийных модулей отключена.
USB-трансивер отключен.
Выводы DDM и DDP подключены к общему.
показания AMP1
показания AMP2










34.3
4.0
мкА

37.3.2 Потребление периферийных модулей в активном режиме

Таблица 37.8. Потребление через вывод VDDCORE1

Периферийный модуль Типичное потребление Единица измерения
Контроллер порта ввода-вывода 12 мкА/МГц
УСАПП 28
Порт USB-устройства 20
ШИМ-контроллер 16
Модуль TWI 5
Модуль SPI 16
Модуль SSC 32
Каналы таймера-счетчика 6
ARM7TDMI 160
Системные периферийные модули (AT91SAM7S128/256) 190
Системные периферийные модули (AT91SAM7S32/321/64) 140

Прим.1: VDDCORE = 1.85В, Tокр. = 25°C

37.4 Характеристики кварцевого генератора

37.4.1 Характеристики RC-генератора

Таблица 37.9. Характеристики RC-генератора

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Ном. Макс. Ед.изм.
1/(tCPRC) Частота RC-генератора VDDPLL = 1.65В 22 32 42 кГц
  коэффициент заполнения   45 50 55 %
tST Время запуска VDDPLL = 1.65В     75 мкс
IOSC Потребляемый ток по завершении запуска     1.9 мкА

37.4.2 Характеристики основного генератора

Таблица 37.10. Характеристики основного генератора

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Ном. Макс. Ед.изм.
1/(tCPMAIN) Частота кварцевого генератора   3 16 20 МГц
CL1, CL2 Внутренняя нагрузочная емкость (CL1 = CL2)     25   пФ
CL Эквивалентная емкость нагрузки     12.5   пФ
  коэффициент заполнения   40 50 60 %
tST Время запуска VDDPLL = 1.2-2В
Cs = 3 пФ1 1/(tCPMAIN) = 3 МГц
Cs = 7 пФ1 1/(tCPMAIN) = 16 МГц
Cs = 7 пФ1 1/(tCPMAIN) = 20 МГц
   
14.5
1.4
1
мс
IOSC Потребляемый ток Активный режим     550 мкА
Дежурный режим     1 мкА

Прим.: 1. Cs - шунтирующая емкость.

37.4.3 Характеристики синхронизации XIN

Таблица 37.11. Электрические характеристики синхронизации XIN

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Макс. Ед.изм.
1/(tCPXIN) Частота синхронизации XIN прим.1   50.0 МГц
tCPXIN Период синхронизации XIN прим.1 20.0   нс
tCHXIN Длительность высокого полупериода XIN прим.1 0.4 x tCPXIN 0.6 x tCPXIN  
tCLXIN Длительность низкого полупериода XIN прим.1 0.4 x tCPXIN 0.6 x tCPXIN  
CIN Входная емкость XIN прим.1   25 пФ
RIN Подтягивающее к общему питания сопротивление на входе XIN прим.1   500 кОм
VXIN_IL Входное напряжение низкого уровня VXIN прим.1 -0.3 0.2 x VDDPLL В
VXIN_IH Входное напряжение высокого уровня VXIN прим.1 0.8 x VDDPLL 1.95 В

Прим.1: данные характеристики применимы только в случае, когда основной генератор работает в режиме обхода (т.е., когда MOSCEN = 0 и OSCBYPASS = 1 в регистре CKGR_MOR, см. параграф 26.9.7 "Регистр основного генератора тактового генератора PMC".

37.5 Характеристики модуля ФАПЧ

Таблица 37.12. Характеристики модуля фазовой автоподстройки частоты

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
FOUT Выходная частота: AT91SAM7S64/321/32 значение поля CKGR_PLL = 00 80   160 МГц
значение поля CKGR_PLL = 11 150   200 МГц
FOUT Выходная частота: AT91SAM7S256/128 значение поля CKGR_PLL = 00 80   160 МГц
значение поля CKGR_PLL = 11 150   180 МГц
FIN Входная частота   1   32 МГц
IPLL Потребляемый ток Активный режим     4 мА
Дежурный режим     1 мкА

Прим.: время запуска зависит от RC-фильтра ФАПЧ. Для его вычисления Atmel предлагает специальное инструментальное средство.

37.6 Характеристики USB-трансивера

37.6.1 Электрические характеристики

Таблица 37.13. Электрические параметры

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
Входные уровни
VIL Низкий уровень       0.8 В
VIH Высокий уровень   2.0     B
VDI Чувствительность дифференциального входа |(D+) - (D-)| 0.2     В
VCM Диапазон синфазных напряжений дифференциального входа   0.8   2.5 В
CIN Емкость трансивера емкость по отношению к общему питания на каждой линии     9.18 пФ
I Ток утечки линии данных в высокоимпедансном состоянии 0В< VВХ< 3.3В -10   +10 мкА
REXT Рекомендуемое внешнее последовательное сопротивление последовательно с каждым выводом USB, ±5%   27   Ом
Выходные уровни
VOL Выходное напряжение низкого уровня Измеряется с Rнагр=1.425 кОм, подключенного к 3.6В 0.0   0.3 В
VOH Выходное напряжение высокого уровня Измеряется с Rнагр=14.25 кОм, подключенного к GND 2.8   3.6 В
VCRS Напряжение пересечения выходных сигналов условия измерения описаны на рисунке 37.2 1.3   2.0 В
Потребление
IVDDIO Потребляемый ток работа трансивера разрешена в режиме ввода: DDP=1 и DDM=0   105 200 мкА
IVDDCORE Потребляемый ток   80 150 мкА

37.6.2 Импульсные характеристики

Таблица 37.14. Характеристики на низкой скорости

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
tFR Время нарастания Cнагр = 400 пФ 75   300 нс
tFE Время спада Cнагр = 400 пФ 75   300 нс
tFRFM Соотношение времен нарастания/спада Cнагр = 400 пФ 80   125 %

Таблица 37.15. Характеристики на полной скорости

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
tFR Время нарастания Cнагр = 50 пФ 4   20 нс
tFE Время спада Cнагр = 50 пФ 4   20 нс
tFRFM Соотношение времен нарастания/спада   90   111.11 %

Времена нарастания и спада сигналов данных шины USB
Рисунок 37.2. Времена нарастания и спада сигналов данных шины USB

37.7 Характеристики АЦП

Таблица 37.16. Время преобразования канала и синхронизация АЦП

Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
Частота синхронизации АЦП 10-разрядный режим     5 МГц
Частота синхронизации АЦП 8-разрядный режим     8 МГц
Время запуска выход из режима холостого хода     20 мкс
Время выборки-хранения   600     нс
Время преобразования Частота синхронизации АЦП: 5 МГц     2 мкс
Время преобразования Частота синхронизации АЦП: 8 МГц     1.25 мкс
Производительность Частота синхронизации АЦП: 5 МГц     3841 тыс. преобр. в сек.
Производительность Частота синхронизации АЦП: 8 МГц     5332 тыс. преобр. в сек.

Прим.:

  1. Соответствует 13 тактам на частоте 5МГц: 3 такта синхронизации на выборку-хранение и 10 тактов синхронизации на преобразование.
  2. Соответствует 15 тактам на частоте 8МГц: 5 тактов синхронизации на выборку-хранение и 10 тактов синхронизации на преобразование.

Таблица 37.17. Вход внешнего опорного напряжения

Параметр Условия измерения Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
Диапазон входного напряжения ADVREF   2.6   VDDIN В
Средний потребляемый ток на ADVREF 13 преобразований с частотой синхронизации АЦП 5 МГц   200 250 мкА
Потребляемый ток на VDDIN     0.55 1 мА

Таблица 37.18. Аналоговые входы

Параметр Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
Диапазон входного напряжения 0   VADVREF В
Входной ток утечки   1   мкА
Входная емкость   12 14 пФ

На вход АЦП можно подключать источник с выходным сопротивлением до:

  • Zвых [Ом] меньше или равно (SHTIM -470) x 10 в 8-разрядном режиме;
  • Zвых [Ом] меньше или равно (SHTIM -589) x 7.69 в 10-разрядном режиме, SHTIM - значение регистра выборки-хранения, выраженного в "нс".

Таблица 37.19. Передаточные характеристики

Параметр Мин. Тип. Макс. Ед.изм.
Разрешающая способность   10   бит
Интегральная нелинейность     ±3 мл.разр.
Дифференциальная нелинейность     ±2 мл.разр.
Погрешность смещения     ±2 мл.разр.
Погрешность усиления     ±2 мл.разр.

37.8 Динамические характеристики

37.8.1 Характеристики главной синхронизации

Таблица 37.20. Параметры главной синхронизации

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Макс. Ед.изм.
1/(tCPMCK) Частота главной синхронизации     55 МГц

37.8.2 Характеристики ввода-вывода

Критерии, используемые для определения максимальной частоты ввода-вывода:

  • заполнение импульсов (30%-70%)
  • минимальный размах выходного напряжения: от 100 мВ до VDDIO - 100мВ
  • дополнительное время нарастания и спада не более 75% периода

Таблица 37.21. Характеристики ввода-вывода

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Макс. Ед.изм.
FreqMaxI01 Частота группы выводов 1 (прим. 1) 3.3В-ый домен4   12.5 МГц
1.8В-ый домен5   4.5 МГц
PulseminHI01 Длительность высокого уровня группы выводов 1 (прим. 1) 3.3В-ый домен4 40   нс
1.8В-ый домен5 110   нс
PulseminLI01 Длительность низкого уровня группы выводов 1 (прим. 1) 3.3В-ый домен4 40   нс
1.8В-ый домен5 110   нс
FreqMaxI02 Частота группы выводов 2 (прим. 2) 3.3В-ый домен4   25 МГц
1.8В-ый домен5   14 МГц
PulseminHI02 Длительность высокого уровня группы выводов 2 (прим. 2) 3.3В-ый домен4 20   нс
1.8В-ый домен5 36   нс
PulseminLI02 Длительность низкого уровня группы выводов 2 (прим. 2) 3.3В-ый домен4 20   нс
1.8В-ый домен5 36   нс
FreqMaxI03 Частота группы выводов 3 (прим. 3) 3.3В-ый домен4   30 МГц
1.8В-ый домен5   11 МГц
PulseminHI03 Длительность высокого уровня группы выводов 3 (прим. 3) 3.3В-ый домен4 16.6   нс
1.8В-ый домен5 45   нс
PulseminLI03 Длительность низкого уровня группы выводов 3 (прим. 3) 3.3В-ый домен4 16.6   нс
1.8В-ый домен5 45   нс

Прим.:

  1. Группа выводов 1 = PA17-PA20
  2. Группа выводов 2 = PA4-PA16 и PA21-PA31 (PA2-PA31 нет у AT91SAM7S32)
  3. Группа выводов 3 = PA0-PA3
  4. 3.3В-ый домен: VVDDIO=3.0В-3.6В, максимальная внешняя емкость = 40 пФ
  5. 1.8В-ый домен: VVDDIO=1.65В-1.95В, максимальная внешняя емкость = 20 пФ

37.8.3 Характеристики SPI

Ведущий режим SPI с (CPOL = NCPHA = 0) или (CPOL= NCPHA= 1)
Рисунок 37.3. Ведущий режим SPI с (CPOL = NCPHA = 0) или (CPOL= NCPHA= 1)

Ведущий режим SPI с (CPOL=0 и NCPHA=1) или (CPOL=1 и NCPHA=0)
Рисунок 37.4. Ведущий режим SPI с (CPOL=0 и NCPHA=1) или (CPOL=1 и NCPHA=0)

Подчиненный режим SPI с (CPOL=0 и NCPHA=1) или (CPOL=1 и NCPHA=0)
Рисунок 37.5. Подчиненный режим SPI с (CPOL=0 и NCPHA=1) или (CPOL=1 и NCPHA=0)

Подчиненный режим SPI с (CPOL=NCPHA=0) или (CPOL=NCPHA=1)
Рисунок 37.6. Подчиненный режим SPI с (CPOL=NCPHA=0) или (CPOL=NCPHA=1)

Таблица 37.22. Временные характеристики интерфейса SPI

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Макс. Ед.изм.
SPI0 Время установления MISO до нарастания SPCK (ведущий режим) 3.3В-ый домен1   28.5 нс
1.8В-ый домен2   38 нс
SPI1 Время удержания MISO после нарастания SPCK (ведущий режим) 3.3В-ый домен1 0   нс
1.8В-ый домен2 0   нс
SPI2 Задержка от нарастания SPCK до действительности MOSI (ведущий режим) 3.3В-ый домен1   2 нс
1.8В-ый домен2   7 нс
SPI3 Время установления MISO до спада SPCK (ведущий режим) 3.3В-ый домен1   26.5 нс
1.8В-ый домен2   44 нс
SPI4 Время удержания MISO после спада SPCK (ведущий режимr) 3.3В-ый домен1 0   нс
1.8В-ый домен2 0   нс
SPI5 Задержка от спада SPCK до действительности MOSI (ведущий режим) 3.3В-ый домен1   2 нс
1.8В-ый домен2   2.5 нс
SPI6 Задержка от спада до SPCK до действительности MISO (подчиненный режим) 3.3В-ый домен1   28 нс
1.8В-ый домен2   44 нс
SPI7 Время установления MOSI до нарастания SPCK (подчиненный режим) 3.3В-ый домен1 2   нс
1.8В-ый домен2 3   нс
SPI8 Время удержания MOSI после нарастания SPCK (подчиненный режим) 3.3В-ый домен1 3   нс
1.8В-ый домен2 2   нс
SPI9 Задержка от нарастания SPCK до действительности MISO (подчиненный режим) 3.3В-ый домен1   28 нс
1.8В-ый домен2   43 нс
SPI10 Время установления MOSI до спада SPCK (подчиненный режим) 3.3В-ый домен1 3   нс
1.8В-ый домен2 3   нс
SPI11 Время удержания MOSI после спада SPCK (подчиненный режим) 3.3В-ый домен1 3   нс
1.8В-ый домен2 2   нс

Прим.:

  1. 3.3В-ый домен: VVDDIO=3.0В-3.6В, максимальная внешняя емкость = 40 пФ
  2. 1.8В-ый домен: VVDDIO=1.65В-1.95В, максимальная внешняя емкость = 20 пФ

37.8.4 Характеристики встроенной флэш-памяти

В таблице 37.23 приведена максимальная рабочая частота, которая зависит от времени доступа к флэш-памяти при выборке кода из нее со стороны процессора. Таким образом, значение максимальной рабочей частоты в таблице 37.23 приводится для различных значений поля FWS регистра MC_FMR. Данное поле задает количество состояний ожидания, требуемое для доступа к встроенной флэш-памяти.

Таблица 37.23. Количество состояний ожидания встроенной флэш-памяти

FWS1 Операции чтения Максимальная рабочая частота, МГц
0 1 цикл 30
1 2 цикла 55
2 3 цикла 55
32 4 цикла 55

Прим.:

  1. FWS - количество состояний ожидания флэш-памяти
  2. Нет необходимости использовать 2 или 3 состояний ожидания, т.к. флэш-память может работать на максимальной частоте и с одним состоянием ожидания.

Таблица 37.24. Динамические характеристики флэш-памяти

Параметр Условия измерения Мин. Макс. Ед.изм.
Длительность цикла программирования программирование одной страницы, в т.ч. автоматич. стирание   6 мс
программирование одной страницы без автоматического стирания   3 мс
Стирание всего кристалла   15   мс

37.8.5 Временные характеристики интерфейса JTAG/ICE

37.8.5.1 Сигналы интерфейса ВСЭ (ICE)

Таблица 37.25. Временные характеристики интерфейса ВСЭ (ICE)

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Макс. Ед.изм.
ICE0 Длительность низкого полупериода TCK прим. 1 51   нс
ICE1 Длительность высокого полупериода TCK прим. 1 51   нс
ICE2 Период TCK прим. 1 102   нс
ICE3 Время установления TDI, TMS до высокого уровня TCK прим. 1 0   нс
ICE4 Время удержания TDI, TMS после появления высокого уровня TCK прим. 1 3   нс
ICE5 Время удержания TDO прим. 1 13   нс
ICE6 Интервал времени от появления низкого уровня TCK до действительности TDO прим. 1   20 нс

Прим.1: VVDDIO=3.0В-3.6В, максимальная внешняя емкость 40 пФ

Сигналы интерфейса ВСЭ (ICE)
Рисунок 37.7. Сигналы интерфейса ВСЭ (ICE)

37.8.5.2 Сигналы JTAG-интерфейса

Таблица 37.26. Временные характеристики интерфейса JTAG

Обозн. Параметр Условия измерения Мин. Макс. Ед.изм.
JTAG0 Длительность низкого полупериода TCK прим. 1 6,5   нс
JTAG1 Длительность высокого полупериода TCK прим. 1 5,5   нс
JTAG2 Период TCK прим. 1 12   нс
JTAG3 Время установления TDI, TMS до появления высокого уровня на TCK прим. 1 2   нс
JTAG4 Время удержания TDI, TMS после установления высокого уровня TCK прим. 1 3   нс
JTAG5 Время удержания TDO прим. 1 4   нс
JTAG6 Интервал времени от установления низкого уровня TCK до действительности TDO прим. 1   16 нс
JTAG7 Время установления входов устройства прим. 1 0   нс
JTAG8 Время удержания входов устройства прим. 1 3   нс
JTAG9 Время удержания выходов устройства прим. 1 6   нс
JTAG10 Время от TCK до действительности выходов устройства прим. 1   18 нс

Прим.:

1. VVDDIO=3.0-3.6В, максимальная внешняя емкость 40 пФ

Сигналы JTAG-интерфейса
Рисунок 37.8. Сигналы JTAG-интерфейса



<--Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->





 
Впервые? | Реклама на сайте | О проекте | Карта портала
тел. редакции: +7 (495) 514 4110. e-mail:info@eust.ru
©1998-2016 ООО Рынок Микроэлектроники