Выводы
Поведение IGBT при жесткой коммутации не применимо к мягкой коммутации. В принципе PT-IGBT с меньшим временем жизни носителей заряда более пригодны для устройств с мягкой коммутацией чем NPT-IGBT из-за динамических процессов, изложенных ранее. Это было проверено при испытаниях 1200 В PT-IGBT ключей со значительным уменьшением общей рассеиваемой мощности.
Такое сравнение может не подойти для других классов напряжения. Для новых 600 В приборов результат может быть в пользу NPT структур с тонкопленочной технологией (уменьшенное падение напряжения и время жизни) благодаря улучшенной температурной стабильности параметров приборов.
Для устройств с мягкой коммутацией предпочтительней MOSFET, особенно для ZVS, что обусловлено их униполярностью.
Так как потери в открытом состоянии больше по принципу работы, рекомендуется применение на высоких частотах коммутации (> 50 кГц), а также с низкими напряжениями / высокими токами. Более широкая область применения новых MOSFET-технологий с уменьшенным значением RDSon (напр. CoolMOS).
Поскольку имеется большое разнообразие преобразователей с малыми потерями и специфическими требованиями к ключам, нельзя ограничиваться стандартным заключением об ограниченных частотах IGBT и MOSFET ключей. В схеме на рис.3.79 были получены следующие максимальные частоты для 1000.1200 В / 20.50 А приборов:
| NPT-IGBT: |
ZVS: |
50 кГц |
ZCS: |
70.80 кГц |
| PT-IGBT: |
ZVS: |
70...80 кГц |
ZCS: |
80...90 кГц |
| MOSFET: |
ZVS: |
> 200 кГц |
ZCS: |
> 200 кГц |
| 
