В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Обнаружение перегрузок и защита

    Неполадки в инверторах можно определить разными способами и реакция на обнаруженные сбои может очень отличаться.

    Мы говорим о быстрой защите, когда неполадка обнаружена внутри ключа и ключи непосредственно закрываются драйвером. Общее время реагирования ключа может составлять какие-то 10 наносекунд.

    Если сбой обнаружен не в ключах, сигнал ошибки передается на плату управления, которая уже на него реагирует. Это называется медленной защитой. Протекающие процессы одинаково относятся и к управлению преобразователем (напр. система реакции на перегрузку). Современные преобразователи часто комбинируют медленную и быструю защиту в зависимости от специфики применения.

    Сравнительный анализ концепций защиты изложен в [194].



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->