В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    OEM драйверы [225], [264], [272]

    Следующая таблица представляет обзор большинства основных OEM-SEMIDRIVER и их основных возможностей.

    А: одиночный драйвер
    А: драйвер плеча моста (двойной)
    I: импульсный трансформатор
    FO: волоконно-оптическая связь
    ОС: оптопара
    D: драйвер для 3-фазного инвертора
    L: драйвер для brake ключа
    DL: драйвер 3-фазного инвертора и brake ключа
    (): интерфес по выбору
    *: верхний ключ (нижний ключ: 10 кВ/мкс)

    Все SEMIDRIVER содержат:

    • источник питания +15 В с информационным потенциалом (SKAI 100 также 24 В); встроенный ИБП с изоляцией потенциалов,
    • 15 В СMOS и/или 5 B TTL-совместимые входы с гальванической развязкой на импульсных трансформаторах или оптопарах,
    • защита при коротких замыканиях через VCE или входные датчики тока (SKHIBS 01/02),
    • контроль снижения напряжения источника питания < 13 В,
    • память ошибок и выход обратной связи ошибок,
    • изменяемое время мертвой зоны для драйверов верхнего и нижнего плеч моста,
    • подавление коротких импульсов.

    Для SKHI 24 и SKHI 22В можно не использовать мертвую зону между верхним и нижним и, таким образом управлять верхним и нижним ключами синхронно или в режиме перекрытия (напр. CSI топологии).

    Рис.3.45 показывает, в каких случаях IGBT SEMITRANS могут управляться и на каких частотах с драйверами, написанными сверху каждой диаграммы. Для этого по ординатам показан номинальный ток IGBT IC@25°C. Диаграммы справедливы для SEMIKRON модулей с обозначениями напряжений и серийными номерами 063 (600В), 123 (1200В), и 173 (1700В). Для остальных IGBT модулей значения нужно адаптировать к входным емкостям IGBT, которые могут отличаться в зависимости от их поколения.

    Токи и частоты коммутации IGBT SEMITRANS
    Токи и частоты коммутации IGBT SEMITRANS
    Рис. 3.45. Токи и частоты коммутации IGBT SEMITRANS



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->