В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Энергия управления

    Основные применяемые решения и их наиболее важные особенности приведены ниже:

    Изоляция потенциалов Трансформаторная Без изоляции
    Система 50 Гц источник питания Импульсный источник питания   схема с компенсир. обратной связью
    Питание Доп. источник или сетевое напряжение Доп. источник От основного источника Рабочее напряжение на верхней стороне
    Частота переменного напр. Низкая Очень высокая Средняя Средняя (имп.част.)
    Фильтрация Высокая Очень низкая Низкая низкая
    Для силовых модулей 1200 В > 1700 В 1700 В 1200 В
    Выходное напряж. Положит. и отрицательное Положит. и отрицательное Только положительное
    Ограничение рабочего цикла нет нет нет есть
    Взаимная емкость высокая низкая средняя низкая
    Излучение помех (ВЧ) нет высокое низкое нет
    Стоимость низкая низкая высокая очень низкая


    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->