В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Пути распространения

    Для проведения измерений радиопомех селективно измеряются флуктуации напряжения в местах соединения сети инвертора и общей шины. Потенциал флуктуаций относится к определенной точке общей шины, которая определяется при стандартных измерениях с помощью схемы стабилизации импеданса сети. Что касается симметричных и асимметричных токов помех в диапазоне частот радиопомех, все простые низкочастотные элементы коммутации снабжаются дополнительными индуктивностями сопротивлениями и емкостями, которые сделают чище моделирование от его частотной зависимости.

    На рис.3.26 показан пример простой схемы понижающего преобразователя, в которой цепь 1 представлена схемой линейной стабилизации импеданса (LISN) и цепь 2 - приложенная нагрузка, в отличие от рис.3.25.

    Эквивалентная схема ЭМП понижающего преобразователя
    Рис. 3.26. Эквивалентная схема ЭМП понижающего преобразователя [193]

    Модели ключей S1 и S2 модуля состоят из коммутационных индуктивностей и емкостей. Возникновение токов помех, описанных ранее, показано в упрощенном виде, а именно как источник тока IS для симметричных токов помех, и как источник напряжения VS для асимметричных токов помех. В двух источниках характеристики полупроводника показаны как функции от времени (рис.3.27).

    На рис.3.28 показаны результаты моделирования на примере, взятом из [193], и основанном на модели из рис.3.26; эти результаты наиболее полно соответствуют реально взятым измерениям. Воздействие дополнительных путей распространения через энергетические и информационные линии передачи цепей драйвера разъяснено в [299].



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->