В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Конструкция силовой части

    MOSFET, IGBT или SkiiP силовые схемы сконструированы по печатной технологии, с помощью проводников или массивных медных или алюминиевых шин, в зависимости от коммутирующих токов или напряжений.

    Кроме ознакомления с основными спецификациями, например при требовании к утечке по поверхности, расстоянию для образования дуги или плотности тока, требование к короткому времени коммутации в нано- и микросекундном диапазоне усложняет силовую конструкцию, что также относится и к высокочастотным требованиям.



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->