В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Температурная модель охлаждающего устройства

    При пояснении температурных характеристик силовых модулей в п. 1.4.2.2, теплоотвод в эквивалентной температурной блок-схеме показан только одним RC-элементом (Rthha, Zthha).

    Однако, с возрастанием рассеиваемой мощности при t = 0 от Р = 0 до Р = Рm, характеристика переходного температурного импеданса теплоотвода Zthha от времени разбивается на несколько временных констант как показано на рис.3.16 в качестве примера. Характеристика общего температурного импеданса Zthja(t) конструкции может быть определена дополнением графика характеристиками температурного импеданса силового модуля и теплоотдачей радиатора.

    Zth(t) - кривые можно построить при суммировании кспоненциальных функций при помощи уравнений:

    Количество u и Rthu - и - tu - значений выбирается так, чтобы можно было выполнить достаточную аппроксимацию характеристики без дополнительных сложных расчетов, независящих от физической структуры. Один из методов итерации, например, описан в [266].

    Значения для моделирования, данные SEMIKRONом, и кратко упомянутые в этих разделах, основаны на модели с 4-временными константами (u = 4).

    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->