В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Температура перехода при кратковременной работе

    Кратковременная работа позволяет проводить большие токи в силовых полупроводниках, чем приведенные в справочных данных для продолжительной работы. Однако, возникающая при этом большая температура перехода не должна превышать максимальное значение 150°С. Температуру перехода можно рассчитать при помощи формул 3.9 и 3.10 в п. 3.2.2.1.

    Примеры:

    Единичный импульс мощности

    Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичном импульсе мощности
    Рис. 3.9. Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичном импульсе мощности

    Максимальное значение температуры перехода при t1:

    Температура перехода в период охлаждения:

    Эти формулы основаны на постоянной номинальной температуре корпуса.

    Единичная последовательность m импульсов мощности

    Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичной последовательности m импульсов мощностиЗависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичной последовательности m импульсов мощности
    Рис. 3.10. Зависимость от времени рассеиваемой мощности и температуры перехода при единичной последовательности m импульсов мощности

    Значение температуры перехода при t1:

    Значение температуры перехода при t2:

    Значение температуры перехода при tm:

    Эти формулы основаны на постоянной номинальной температуре корпуса.



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->