В HTML      В PDF
микроэлектроника, микросхема, транзистор, диод, микроконтроллер, память, msp430, Atmel, Maxim, LCD, hd44780, t6963, sed1335, avr, mega128
Предприятия Компоненты Документация Применения Статьи Новости

  • Микроконтроллеры
  • ЖК-модули
  • АЦП
  • ЦАП
  • Интерфейсы
  • Wireless
  • Усилители
  • Компараторы
  • Коммутаторы
  • Датчики
  • Cтабилизаторы напряжения
  • Транзисторы
  • Стандартная логика
  • Светодиоды

    Механические свойства ИС
  • Электромеханика
  • Корпуса микросхем
  • Корпуса Pb-free
  • IP и IK защита
  • Маркировка ИС
  • Резисторы
  • Перечень сертификатов
  • Соответствие калибров AWG
  •  
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации





    Главная страница > Обзоры по типам > Транзисторы > Принципы работы мощных MOSFET и IGBT транзисторов
    Пересюхтюмя


    13-я Международная выставка электронных компонентов и комплектующих для электронной промышленности





    Выставка Передовые Технологии Автоматизации


    Потери мощности в понижающем преобразователе

    На рис.3.2 представлена схема понижающего преобразователя с диаграммами работы на активно-индуктивную нагрузку.


    Рис. 3.4

    В установившемся режиме работы схемы рассеиваемую мощность в определенной рабочей точке можно рассчитать:

    IGBT

    Рассеиваемая мощность при включении: Pon/T = fs · Eon/T(vD, iLL, Tj/T)

    Рассеиваемая мощность при выключении: Poff/T = fs · Eoff/T(vD, iLH, Tj/T)

    Рассеиваемая мощность в открытом состоянии:

    Пренебрежение выбросом тока нагрузки приведет к:
    Pfw/T = iLavg · vCEsat(iLavg, Tj/T) · (t1/T) = iLavg · vCEsat(iLavg, Tj/T) · DT

    DT - рабочий цикл транзистора
    iLavg - средний ток нагрузки

    Обратный диод

    Рассеиваемая мощность при выключении: Poff/D = fs · Eoff/D(vD, iLH, Tj/D)

    Рассеиваемая мощность в открытом состоянии:

    Пренебрежение выбросом тока нагрузки приведет к:
    Pfw/T = iLavg · vF(iLavg, Tj/D) · (1 - DT) = iLavg · vF(iLavg, Tj/D) · DD

    DD - рабочий цикл диода

    Расчет рассеиваемой мощности для IGBT и диода в открытом состоянии основан на идеальном рабочем цикле (пренебрегая временем коммутации в общей продолжительности цикла). Выбранные соотношения для рассеиваемой энергии при коммутации также для падения напряжения на IGBT и диоде приведены в технических данных (см. п.2)



    <-- Предыдущая страница Оглавление Следующая страница -->